Перегляд за Автор "Карбовская, Любовь"

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Нанорельеф слоёв Cu и Au после их термического нанесения на поверхности монокристаллов InSe и GaSe
    (Metallophysics and Advanced Technologies, 2019) Карбовская, Любовь; Карбовский, Владимир; Артемюк, Виктор; Ковалюк, Захар; Кузнецова, Елена; Смоляк, Свитлана; Соболев, Александр; Стонис, Виктор
    Показано удовлетворительное соответствие кривых плотностей электронных состояний, полученных экспериментально методом туннельной спектроскопии и рассчитанных в рамках теории функционала плотности (ТФП). Ширина запрещенной зоны атомарно чистой поверхности моно- кристалла InSe (0001, измеренная методом туннельной спектроскопии демонстрирует отклонение на 0,2 эВ от других методов измерений (1,4 эВ против 1,2 эВ). При низких температурах наблюдается интенсивное образование поверхностных энергетических уровней Шокли. Методами высокоразрешающей сканирующей туннельной микроскопии и ТФП (Wien2k) исследованы механизмы формирования нанорельефа меди и золота на ван-дер-ваальсовых поверхностях полупроводниковых моно- кристаллов. Вакуумное термическое нанесение Cu и Au (без охлаждения образца и инертных газов) на поверхность монокристалла InSe (0001) при одних и тех же условиях демонстрирует различные механизмы осаждения из атомарной металлической газовой фазы. Для меди характерен мономодальный разброс размеров кластеров, в то время как в случае золота формируются монослои чешуйчатой структуры. Установлено малое влияние интерфейса на геометрию и симметрию образующихся наноструктур меди и золота. Процессы образования наноструктур меди и золота при указанных условиях плохо описываются известными механизмами роста.
  • Ескіз
    Документ
    Туннельная спектроскопия и морфологические особенности поверхности аморфного металлического сплава Fe82Si4B14
    (Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 2017) Артемюк, Виктор; Карбовская, Любовь; Кузнецова, Елена; Карбовский, Владимир
    Методами сканувальної зондової тунельної мікроскопії та спектроскопії атомового розріжнення досліджено вплив процесів температурного від- палу на морфологічні особливості поверхні й електронну будову мета- левого стопу Fe82Si4B14 у діяпазоні температур від 200C до 700C. В процесі релаксації невпорядкованого стопу виявлено області з пониже- ною провідністю, що характерно для утворення нанофаз Fe–Si і Fe–B. Спостерігаються істотні неоднорідності густини електронних станів на міжкластерних межах, що свідчить про їх складну організацію. Одер- жано розподіл густини електронних станів в околі рівня Фермі. Спо- стерігається коаґуляція кластерних утворень, в результаті чого форму- ються нано- та мезочастинки.