Логотип репозиторію
  • English
  • Yкраї́нська
  • Увійти
    Новий користувач? Зареєструйтесь.Забули пароль?
Логотип репозиторію
  • Фонди та зібрання
  • Пошук за критеріями
  • English
  • Yкраї́нська
  • Увійти
    Новий користувач? Зареєструйтесь.Забули пароль?
  1. Головна
  2. Переглянути за автором

Перегляд за Автор "Тиховод, Катерина"

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
  • Вантажиться...
    Ескіз
    Документ
    Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів
    (БДПУ, 2022) Тиховод, Катерина
    Кваліфікаційна робота присвячена удосконаленню методу синтезу наноструктур на поверхні арсеніду галію. Авторкою роботи висвітлено особливості оксидування поверхні n-GaAs проводили методом електрохімічного осадження в водно-спиртовому розчині соляної кислоти, встановлено кінетику процесу зростання оксидних шарів, досліджено морфологічні характеристики сформованих наноструктур після електрохімічної обробки на поверхні n-GaAs.

DSpace software and Berdyansk State Pedagogical University copyright © 2002-2025 LYRASIS

  • Налаштування куків
  • Політика приватності
  • Угода користувача
  • footer.link.feedback