Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів
Вантажиться...
Дата
2022
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
БДПУ
Анотація
Кваліфікаційна робота присвячена удосконаленню методу синтезу наноструктур на поверхні арсеніду галію. Авторкою роботи висвітлено особливості оксидування поверхні n-GaAs проводили методом електрохімічного осадження в водно-спиртовому розчині соляної кислоти, встановлено кінетику процесу зростання оксидних шарів, досліджено морфологічні характеристики сформованих наноструктур після електрохімічної обробки на поверхні n-GaAs.
Опис
Ключові слова
монокристали, морфологічні характеристики, оксидування, аналіз, синтез, метод електрохімічного осадження, травлення
Бібліографічний опис
Тиховод К. Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів : кваліфікаційна робота на здобуття ступеня магістра: спец. 105 Прикладна фізика та наноматеріали / наук. кер. Я. Сичікова. – БДПУ, 2022. – 63 с.