Publication: Нанорельеф слоёв Cu и Au после их термического нанесения на поверхности монокристаллов InSe и GaSe
Loading...
Date
Науковий керівник
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Metallophysics and Advanced Technologies
Abstract
Показано удовлетворительное соответствие кривых плотностей электронных состояний, полученных экспериментально методом туннельной спектроскопии и рассчитанных в рамках теории функционала плотности (ТФП). Ширина запрещенной зоны атомарно чистой поверхности моно- кристалла InSe (0001, измеренная методом туннельной спектроскопии демонстрирует отклонение на 0,2 эВ от других методов измерений (1,4 эВ против 1,2 эВ). При низких температурах наблюдается интенсивное образование поверхностных энергетических уровней Шокли. Методами высокоразрешающей сканирующей туннельной микроскопии и ТФП (Wien2k) исследованы механизмы формирования нанорельефа меди и золота на ван-дер-ваальсовых поверхностях полупроводниковых моно- кристаллов. Вакуумное термическое нанесение Cu и Au (без охлаждения образца и инертных газов) на поверхность монокристалла InSe (0001) при одних и тех же условиях демонстрирует различные механизмы осаждения из атомарной металлической газовой фазы. Для меди характерен мономодальный разброс размеров кластеров, в то время как в случае золота формируются монослои чешуйчатой структуры. Установлено малое влияние интерфейса на геометрию и симметрию образующихся наноструктур меди и золота. Процессы образования наноструктур меди и золота при указанных условиях плохо описываются известными механизмами роста.
Description
As shown, the density of electronic states curves obtained experimentally by the method of tunnelling spectroscopy and calculated by the DFT method are in satisfactory agreement. The band gap of the atomically clean surface of an InSe (0001) single crystal measured by the method of tunnelling spectroscopy demonstrates a deviation of 0.2 eV from other methods ( 1.4 eV against 1.2 eV). At low temperatures, intense formation of Shockley’s surface en-
ergy levels is observed. Formation mechanisms of copper and gold nanorelief on Van der Waals surfaces of semiconductor single crystals are investigated by the methods of high-resolution scanning tunnelling microscopy and DFT (Wien2k). Vacuum thermal deposition of Cu and Au (without cooling the sample and inert gases) on the surface of an InSe (0001) single crystal at the same conditions demonstrates different deposition mechanisms from the atomic metal gas phase. Copper is characterized by monomodal variation in cluster sizes, while in the case for gold a monolayer flake-like structure is formed. A small influence of the interface on geometry and symmetry of the nanostructures of copper and gold is established. The processes of formation of copper and gold nanostructures at mentioned conditions are badly described by the known growth mechanisms.
Citation
Нанорельеф слоёв Cu и Au после их термического нанесения на поверхности монокристаллов InSe и GaSe / Л. И. Карбовская, В. Л. Карбовский, В. А. Артемюк, З. Д. Ковалюк, Е. Я. Кузнецова, С. С. Смоляк, А. И. Соболев, В. В. Стонис // Metallophysics and Advanced Technologies. – 2019. – Vol. 41, No. 3. – Рp. 297–311.