Структурні та оптичні властивості гетероструктури AlGaAs/GaAs

Abstract

Кваліфікаційна робота складається із вступу, трьох розділів, висновків, списку використаних джерел (23 позиції). Загальний обсяг роботи – 25 с., з яких 18 с. – основна частина. Робота містить 3 рисунки і 1 таблицю. Об’єкт дослідження: напівпровідникові гетероструктури на основі сполук III–V, сформовані на підкладці GaAs. Предмет дослідження: структурні, морфологічні та оптичні властивості гетероструктури AlGaAs/GaAs, отриманої методом електрохімічного осадження. Мета роботи: синтез гетероструктури AlGaAs/GaAs електрохімічним методом та дослідження її структурних і оптичних властивостей з метою оцінки перспектив використання в оптоелектронних і фотонних пристроях. Проаналізовано сучасний стан досліджень гетероструктур AlGaAs/GaAs та методів їх синтезу. Підготовлено поверхню монокристалічної підкладки GaAs до електрохімічного осадження. Синтезовано шар AlGaAs на поверхні GaAs з використанням електрохімічного осадження. Досліджено морфологічні особливості гетероструктури методом скануючої електронної мікроскопії. Визначено елементний склад синтезованої гетероструктури методом EDX-аналізу. Проаналізовано кристалічну структуру та фононні властивості матеріалу за допомогою раманівської спектроскопії. Досліджено оптичні властивості гетероструктури методом фотолюмінесцентної спектроскопії.