Структурні та оптичні властивості гетероструктури AlGaAs/GaAs
Вантажиться...
Дата
2025
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Бердянський державний педагогічний університет
Анотація
Кваліфікаційна робота складається із вступу, трьох розділів, висновків, списку використаних джерел (23 позиції). Загальний обсяг роботи – 25 с., з яких 18 с. – основна частина. Робота містить 3 рисунки і 1 таблицю.
Об’єкт дослідження: напівпровідникові гетероструктури на основі сполук III–V, сформовані на підкладці GaAs.
Предмет дослідження: структурні, морфологічні та оптичні властивості гетероструктури AlGaAs/GaAs, отриманої методом електрохімічного осадження.
Мета роботи: синтез гетероструктури AlGaAs/GaAs електрохімічним методом та дослідження її структурних і оптичних властивостей з метою оцінки перспектив використання в оптоелектронних і фотонних пристроях.
Проаналізовано сучасний стан досліджень гетероструктур AlGaAs/GaAs та методів їх синтезу. Підготовлено поверхню монокристалічної підкладки GaAs до електрохімічного осадження. Синтезовано шар AlGaAs на поверхні GaAs з використанням електрохімічного осадження. Досліджено морфологічні особливості гетероструктури методом скануючої електронної мікроскопії. Визначено елементний склад синтезованої гетероструктури методом EDX-аналізу. Проаналізовано кристалічну структуру та фононні властивості матеріалу за допомогою раманівської спектроскопії. Досліджено оптичні властивості гетероструктури методом фотолюмінесцентної спектроскопії.
Опис
Ключові слова
гетеро структури AlGaAs/GaAs, монокристалічна підкладка, електрохімічне осадження, скануючи електронна мікроскопія, метод EDX-аналізу, метод EDX-аналізу, раманівська і фотолюмінесцентна спектроскопія
Бібліографічний опис
Сабуров Д. М. Структурні та оптичні властивості гетероструктури AlGaAs/GaAs : кваліфікаційна робота на здобуття ступеня магістра: спец. 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Дмитро Сабуров ; наук. кер. Я. Жидачевський. – Запоріжжя : БДПУ, 2025. – 25 с.