Publication: Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів
Loading...
Date
Authors
Науковий керівник
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
БДПУ
Abstract
Кваліфікаційна робота присвячена удосконаленню методу синтезу наноструктур на поверхні арсеніду галію. Авторкою роботи висвітлено особливості оксидування поверхні n-GaAs проводили методом електрохімічного осадження в водно-спиртовому розчині соляної кислоти, встановлено кінетику процесу зростання оксидних шарів, досліджено морфологічні характеристики сформованих наноструктур після електрохімічної обробки на поверхні n-GaAs.
Description
Citation
Тиховод К. Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів : кваліфікаційна робота на здобуття ступеня магістра: спец. 105 Прикладна фізика та наноматеріали / наук. кер. Я. Сичікова. – БДПУ, 2022. – 63 с.