Publication: Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів
| dc.contributor.author | Тиховод, Катерина | uk |
| dc.date.accessioned | 2024-05-21T16:55:59Z | |
| dc.date.available | 2024-05-21T16:55:59Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.description.abstract | Кваліфікаційна робота присвячена удосконаленню методу синтезу наноструктур на поверхні арсеніду галію. Авторкою роботи висвітлено особливості оксидування поверхні n-GaAs проводили методом електрохімічного осадження в водно-спиртовому розчині соляної кислоти, встановлено кінетику процесу зростання оксидних шарів, досліджено морфологічні характеристики сформованих наноструктур після електрохімічної обробки на поверхні n-GaAs. | uk |
| dc.identifier.citation | Тиховод К. Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів : кваліфікаційна робота на здобуття ступеня магістра: спец. 105 Прикладна фізика та наноматеріали / наук. кер. Я. Сичікова. – БДПУ, 2022. – 63 с. | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.bdpu.org.ua/handle/123456789/3247 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | БДПУ | uk |
| dc.subject | монокристали | uk |
| dc.subject | морфологічні характеристики | uk |
| dc.subject | оксидування | uk |
| dc.subject | аналіз | uk |
| dc.subject | синтез | uk |
| dc.subject | метод електрохімічного осадження | uk |
| dc.subject | травлення | uk |
| dc.title | Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів | uk |
| dc.type | Other | en |
| dspace.entity.type | Publication |