Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТиховод, Катеринаuk
dc.date.accessioned2024-05-21T16:55:59Z
dc.date.available2024-05-21T16:55:59Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractКваліфікаційна робота присвячена удосконаленню методу синтезу наноструктур на поверхні арсеніду галію. Авторкою роботи висвітлено особливості оксидування поверхні n-GaAs проводили методом електрохімічного осадження в водно-спиртовому розчині соляної кислоти, встановлено кінетику процесу зростання оксидних шарів, досліджено морфологічні характеристики сформованих наноструктур після електрохімічної обробки на поверхні n-GaAs.uk
dc.identifier.citationТиховод К. Дослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалів : кваліфікаційна робота на здобуття ступеня магістра: спец. 105 Прикладна фізика та наноматеріали / наук. кер. Я. Сичікова. – БДПУ, 2022. – 63 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.bdpu.org.ua/handle/123456789/3247
dc.language.isoukuk
dc.publisherБДПУuk
dc.subjectмонокристалиuk
dc.subjectморфологічні характеристикиuk
dc.subjectоксидуванняuk
dc.subjectаналізuk
dc.subjectсинтезuk
dc.subjectметод електрохімічного осадженняuk
dc.subjectтравленняuk
dc.titleДослідження умов оксидування поверхні n-GaAs при електрохімічній обробці поверхні монокристалівuk
dc.typeOtheren
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Mahisterska robota Tykhovod Kateryna.pdf
Розмір:
620.72 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed to upon submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Факультет фізико-математичної, комп’ютерної та технологічної освіти