У кваліфікаційній роботі розроблено методику отримання гетероструктур на основі поруватих напівпровідників Si, а також з’ясування механізмів формування гетероструктури ZnO/SiC/porous-Si/Si та фізичних процесів, що протікають у ній. Проаналізовано фізико-технологічні основи отримання гетероструктури ZnO/SiС/porous-Si/Si.