Кваліфікаційна робота присвячена удосконаленню методу синтезу наноструктур на поверхні арсеніду галію. Авторкою роботи висвітлено особливості оксидування поверхні n-GaAs проводили методом електрохімічного осадження в водно-спиртовому розчині соляної кислоти, встановлено кінетику процесу зростання оксидних шарів, досліджено морфологічні характеристики сформованих наноструктур після електрохімічної обробки на поверхні n-GaAs.